双端口RAM#

WARNING

两个端口不能同时对同一地址进行写或一个写一个读。

解决方法：通过控制电路实现暂时关闭一个端口。

多体并行存储器#

地址分为体号和体内地址，不同交叉编址时二者顺序不同。

NOTE

设每个存储体存取周期为r，存取时间为r，假设T=4r

连续取n个存储字，耗时T+(n-1)r

宏观上读写一个字的时间接近r

从这个例子可以看出，低位交叉编址在n→∞时，性能几乎是高位交叉的四倍。

为什么要探讨“连续访问”情况？

因为实际应用中很多数据就是放在地址连续的内存单元中，如数组，程序代码。

结论：采用“流水线”的方式并行存取（宏观上并行，微观上串行）。

IMPORTANT

存取周期为T，存取时间为r，应保证模块数m >= T / r.

给定一个地址x，确定它属于第几个存储体的方法：

1. 体号

2. 将二进制地址对体的数量进行取余

知识回顾#

IMPORTANT

很多ROM芯片虽然名字是“Read-Only”，但很多ROM也可以“写”，即EPROM，闪存，SSD。

闪存的写速度一般比读速度更慢，因为写入前要先擦除。

RAM芯片是易失性的，ROM是非易失性的。

很多ROM也具有“随机存取”的特性，意味着速度快慢不受地址的影响。