栅极电容:#

mos管接通之后，如果是1，电容放电，从数据线上产生电流信号。

mos管接通之后，如果是0，电容不放电，从数据线上不产生电流信号。

若存储1，意味着电容上会存储一些电荷，接通mos管读出的过程中就意味着电容释放掉，从而导致信息从1变为0。

这意味着电容放电信息被破坏，是破坏性读出，读出后应有重写操作，也称”再生“，因此读写速度更慢。

而右边为稳态，是非破坏性读出，无需重写，因此读写速度更快。

总结：DRAM用三级电容来存储0和1，需要1个mos管。

双稳态触发器:#

为什么叫双稳态？因为触发器这个存储源呈现出两种稳定的状态：

第一种稳态： A点高电平，B点低电平，规定对应写入的是1。

第二种稳态： B点高电平，A点低电平，规定对应写入的是0。

WARNING

以上是对于写入而言，下面我们来看读出。

显然，对于左边，读出数据的数据线只有一根。

而右边需要两根数据线来读出0或1的状态。

对于右，给字选择线施加电压，若存储源存储0，BL为低电平信号，右边的BLX则不会输出任何电信号，反之亦然。

根本判断依据：哪条线输出了低电平信号。

价格：#

左边1个mos管，右边6个mos管，显然右边集成度低（因为逻辑元件更多，体积更大），功耗大（电路更复杂），成本更贵。

NOTE

两种存储元的特性区别，也造成了SRAM和DRAM的区别。

总结#

SRAM 速度快，常用于 CPU 缓存。它使用触发器存储数据，不需要刷新，但成本高、集成度低、功耗大。 DRAM 速度慢，但成本低、集成度高、功耗小，常用于 主内存。它使用电容存储数据，需要定期刷新才能保持信息。

TIP

注意区分破坏性读出和易失性。

那什么是刷新呢？

高中我们学过，如果不管电容内的电荷，电荷会慢慢流失，就会导致电容内存储的信息出现误差（由1→0）。

事实上，电容器内的电荷只能维持2ms，即使不断电，2ms后信息也会消失。

而双稳态触发器比较好，只要不断电（从VDD这根线供），触发器的状态就不会变，也就是保存的0和1是不会消失的。

那左边这种情况如何解决呢？

这就要用到“刷新”的概念了。

2ms内给电容刷新一次，也就是给电容充电，即可保证信息不流失。

为什么要用二维的存储器？因为这样会让选通线的数量更少，使电路变得简单清晰。

只要给出一个行地址，那么行地址译码器便会选中一整行的存储单元。

而我们的每次刷新操作，就会刷新一整行。

那怎么刷新呢？

会有一个专门的刷新电路来支持。

刷新电路会直接读出一整行的存储信息，然后重新写入，也就是重新给电容充电。

那我们刷新一整行，其实本质上就是进行了一次读操作，所以它的耗时和1个读/写周期相同。

为了让地址线更简单，DRAM常常采用地址线复用技术。

i.e. 把行地址，列地址分前后两次进行传输，对于n个芯片只需采用n/2条地址线。

好处：使地址线更少，芯片引脚更少。

对于SRAM这种容量较小的芯片，通常我们同时把行列地址送过去就可以了。

NOTE

当考察DRAM芯片的引脚数量时，和地址线对应的引脚数目应该减半。

另外，“刷新”由存储器独立完成，不需要CPU控制。

最后补充，DRAM芯片现在已经过时了，现在的主存通常采用SDRAM芯片，如DDR3，DDR4。

SRAMとDRAMの比較#